[发明专利]一种磁性随机存储器存储单元及磁性随机存储器有效
| 申请号： | 201910138993.1 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111613720B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张云森;陈峻;郭一民;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁性随机存储器存储单元及磁性随机存储器，存储单元包括层叠设置的参考层、势垒层、第一自由层，还包括第二自由层，以及其下的垂直磁耦合层和其上的磁阻尼阻挡层，第二自由层中的磁化矢量始终垂直于第一自由层，并与第一自由层中的磁化矢量平行；垂直磁耦合层用于实现第一自由层与第二自由层的强磁性耦合，并提供额外的垂直界面各项异性来源；磁阻尼阻挡层提供额外的各向异性来源，并同时减少膜层的磁阻尼系数。本发明中额外的第二自由层的加入，并不会影响TMR，增加了自由层的厚度，降低磁阻尼系数，增加热稳定性因子，而临界写电流并不会增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910138993.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
