[发明专利]具有包括互连件及迹线的金属层的霍尔效应传感器在审
| 申请号： | 201910139403.7 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN110197871A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 凯特·瑞安·格伦;李德元 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;G01R33/07 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及拥有具有互连件及迹线的金属层的霍尔效应传感器。霍尔效应传感器(100；200)包括：半导体衬底(102)；第一阱(104)，其形成在所述半导体衬底中；第一欧姆接点(112)，其形成在所述第一阱中；第二欧姆接点(114)，其形成在所述第一阱中；第一端子(116)，其电耦合到所述第一欧姆接点；第二端子(118)，其电耦合到所述第二欧姆接点；及第一金属层(135)，其形成在所述半导体衬底上方。所述第一金属层包括第一互连件(128；134)及第一迹线(136)，其中所述第一迹线形成在所述第一阱上方，且其中所述第一互连件将所述第一阱的第一部分(130)电耦合到所述第一阱的第二部分(132)。所述第一及第二欧姆接点各自定位在所述第一阱的所述第一部分与所述第二部分之间，其中所述第一互连件与所述第一迹线电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接点 互连件 迹线 霍尔效应传感器 电耦合 衬底 半导体 第一金属层 金属层 电隔离 申请案 | ||
【主权项】：
1.一种霍尔效应传感器，其包括：半导体衬底；第一阱，其形成在所述半导体衬底中；第一欧姆接点，其形成在所述第一阱中；第二欧姆接点，其形成在所述第一阱中；第一端子，其电耦合到所述第一欧姆接点；第二端子，其电耦合到所述第二欧姆接点；及第一金属层，其形成在所述半导体衬底上方，所述第一金属层包括第一互连件及第一迹线，所述第一迹线形成在所述第一阱上方，所述第一互连件将所述第一阱的第一部分电耦合到所述第一阱的第二部分，其中所述第一及第二欧姆接点各自定位在所述第一阱的所述第一部分与所述第二部分之间，且其中所述第一互连件与所述第一迹线电隔离。
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