[发明专利]发光装置及其制造方法、以及投影仪有效

专利信息
申请号: 201910140085.6 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN110212406B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 野田贵史;岸野克巳 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社;学校法人上智学院
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/30;G03B21/20
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供发光装置及其制造方法、以及投影仪,能够减少在发光层中产生的光向基体侧的相反侧的泄漏量。该发光装置具有:基体;以及层叠体,其设置在所述基体上,所述层叠体具有:第1柱状部;以及第2柱状部,其具有比所述第1柱状部小的直径,所述第1柱状部设置在所述基体与所述第2柱状部之间,所述第1柱状部具有:第1半导体层;第2半导体层,其导电类型与所述第1半导体层不同;以及发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间,能够产生光,所述第1半导体层设置在所述基体与所述发光层之间,所述第2柱状部具有导电类型与所述第1半导体层不同的第3半导体层。
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法 以及 投影仪
【主权项】:
1.一种发光装置,其具有:基体;以及层叠体,其设置在所述基体上,所述层叠体具有:第1柱状部;以及第2柱状部,其具有比所述第1柱状部小的直径,所述第1柱状部设置在所述基体与所述第2柱状部之间,所述第1柱状部具有:第1半导体层;第2半导体层,其导电类型与所述第1半导体层不同;以及发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间,能够产生光,所述第1半导体层设置在所述基体与所述发光层之间,所述第2柱状部具有导电类型与所述第1半导体层不同的第3半导体层。
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