[发明专利]一类基于二噻吩丙烯腈的不等规聚合物及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910140508.4 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109897168A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 于贵;李弟灶;张卫锋;王丽萍;王强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/30;C07D333/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于二噻吩丙烯腈的不等规聚合物及其制备方法与应用。该基于二噻吩丙烯腈的不等规聚合物结构式如式I所示。上述式I中，R选自下述任意一种：C5‑C80(优选C5‑C50)的直链或支链烷基，n为聚合度为5‑200。本发明还提供式I所示聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明的基于二噻吩丙烯腈的不等规聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，空穴迁移率为1.48cm2V‑1s‑1，开关比为103；电子迁移率为1.27cm2V‑1s‑1，开关比为103。本发明的聚合物在有机场效应晶体管器件中有良好的应用前景。 |
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| 搜索关键词： | 聚合物 丙烯腈 制备 开关比 有机场效应晶体管器件 应用 场效应晶体管 聚合物结构式 有机半导体层 烷基 大规模合成 电子迁移率 空穴迁移率 直链或支链 合成步骤 合成路线 聚合度 迁移率 优选 | ||
【主权项】：
1.式I所示聚合物：![]()
所述式I中，R＝R1，R＇＝X＝H，Y＝‑CN；或者，R＇＝R1，X＝‑CN，R＝Y＝H；R1和R2均选自C5‑C80的直链或支链烷基中的任意一种；n为5～200。
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