[发明专利]一种复合电极及其制备方法和应用在审
申请号: | 201910141253.3 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN109903998A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 赫文秀;邱恒睿;张永强;孙雪姣;崔金龙 | 申请(专利权)人: | 内蒙古科技大学 |
主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 马小星 |
地址: | 014000 内蒙古*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明提供了一种复合电极,属于纳米材料技术领域。本发明所述复合电极具有分层的纳米针阵列结构,以泡沫镍为基底,以多壁碳纳米管‑石墨烯纳米带为内层,所述多壁碳纳米管‑石墨烯纳米带负载在所述泡沫镍的表面,以Co3O4形成的纳米针阵列为外层。本发明提供的复合电极外壁展开为MWCNTs‑GONRs,使得一维的CNTs穿插缠绕在二维GONRs片层间,有效地避免了GONRs的团聚并形成一种独特的3D结构,能够有效地增大比表面积并提高电子传输速率。 | ||
搜索关键词: | 复合电极 多壁碳纳米管 纳米带 泡沫镍 石墨烯 有效地 制备方法和应用 纳米材料技术 纳米针阵列 电子传输 纳米针 二维 分层 基底 内层 片层 外壁 缠绕 穿插 团聚 | ||
【主权项】:
1.一种复合电极,其特征在于,所述复合电极具有分层的纳米针阵列结构,以泡沫镍为基底,以多壁碳纳米管‑石墨烯纳米带为内层,所述多壁碳纳米管‑石墨烯纳米带负载在所述泡沫镍的表面,以Co3O4形成的纳米针阵列为外层。
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