[发明专利]磁性装置、使用其的磁性存储器及用于提供其的方法在审
| 申请号： | 201910141864.8 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN110224061A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 全洪植;唐学体 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明阐述一种磁性装置、一种使用所述磁性装置的存储器及一种用于提供所述磁性装置的方法。磁性装置包括磁性结及邻近磁性结的混合顶盖层。混合顶盖层包括绝缘层、不连续的氧化物层及贵金属层。不连续的氧化物层位于绝缘层与贵金属层之间。绝缘层位于磁性结与贵金属层之间。在一个方面，磁性结包括参考层、可能是隧道势垒层的非磁性分隔层以及自由层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性装置 绝缘层 贵金属层 氧化物层 不连续 顶盖层 磁性存储器 隧道势垒层 存储器 参考层 非磁性 分隔层 自由层 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种磁性装置，存在于衬底上且能够用于磁性器件中，所述磁性装置包括：磁性结；以及混合顶盖层，邻近所述磁性结，所述混合顶盖层包括绝缘层、不连续的氧化物层及贵金属层，所述不连续的氧化物层位于所述绝缘层与所述贵金属层之间，所述绝缘层位于所述磁性结与所述贵金属层之间。
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