[发明专利]利用液氮气化流程冷量的半导体器件低温试验装置

摘要

本发明公开了一种利用液氮气化流程冷量的半导体器件低温试验装置，液氮供应装置通过主液氮管与液氮气化装置连接，液氮气化装置通过主氮气管与氮气储存装置连接，支液氮管的一端与主液氮管相通连接，支液氮管的另一端与液氮气化盘管的一端相通连接，液氮气化盘管的另一端与支氮气管的一端相通连接，支氮气管的另一端与主氮气管相通连接，液氮气化盘管置于密闭的低温试验箱内，低温试验箱的箱壁上设有多个测试孔，测试端子穿过所述测试孔。本发明低温试验箱并联连接在液氮气化主干通路上，对半导体行业的液氮气化环节的能源进行充分利用，突破传统低温制冷模式的限制，能够实现试验件在更低温环境进行筛选和测试的目的，并降低了传统能源的消耗。

主权项

1.一种利用液氮气化流程冷量的半导体器件低温试验装置，液氮供应装置通过主液氮管与液氮气化装置的进液口连接，所述液氮气化装置的出气口通过主氮气管与氮气储存装置连接，其特征在于：所述半导体器件低温试验装置包括支液氮管、液氮气化盘管、支氮气管和低温试验箱，所述支液氮管的一端与所述主液氮管相通连接，所述支液氮管的另一端与所述液氮气化盘管的一端相通连接，所述液氮气化盘管的另一端与所述支氮气管的一端相通连接，所述支氮气管的另一端与所述主氮气管相通连接，所述液氮气化盘管置于密闭的所述低温试验箱内，所述低温试验箱的箱壁上设有多个测试孔，测试端子穿过所述测试孔，多条测试线穿过所述测试端子。