[发明专利]基于衰减振荡波的功率MOSFET器件导通电阻和输出电容的测试装置

摘要

本发明公开了一种基于衰减振荡波的功率MOSFET器件导通电阻和输出电容的测试装置，包括前端的被测功率MOSFET器件及其外围测试电路以及后端的采样控制系统；测试电路包括可调直流电源、保险丝、可调电感、电压采样电阻、分压电阻和电流采样电阻，采样控制系统包括运放模块、AD模块、CPU模块、驱动模块和上位机。本发明测量方法简便，装置成本较低，可以实现同时测量功率MOSFET器件的雪崩耐量、导通电阻和输出电容，操作简单高效。

主权项

1.一种基于衰减振荡波的功率MOSFET器件导通电阻和输出电容的测试装置，其特征在于：包括前端的被测功率MOSFET器件及其外围测试电路以及后端的采样控制系统；所述测试电路包括可调直流电源、保险丝、可调电感、电压采样电阻R_U1、分压电阻R_U2和电流采样电阻R_I，其中：可调直流电源的正极与保险丝的一端相连，保险丝的另一端与可调电感的一端相连，可调电感的另一端与被测功率MOSFET器件的漏极以及分压电阻R_U2的一端相连，分压电阻R_U2的另一端与电压采样电阻R_U1的一端以及采样控制系统相连，电压采样电阻R_U1的另一端与可调直流电源的负极以及电流采样电阻R_I的一端相连并接地，电流采样电阻R_I的另一端与被测功率MOSFET器件的源极以及采样控制系统相连，被测功率MOSFET器件的栅极接采样控制系统提供的开关控制信号；所述采样控制系统包括运放模块、AD模块、CPU模块、驱动模块和上位机；其中：所述运放模块用于接收流经R_I的电流信号以及R_U1的电压信号，并分别对对这两组信号进行调理整形；所述AD模块用于对调理整形后的电流信号和电压信号进行AD采样；所述CPU模块包括CPLD和静态存储模块，其中CPLD接收上位机输出的测试指令后产生相应的脉冲信号，该脉冲信号经过驱动模块功率放大后生成对应的开关控制信号输出至被测功率MOSFET器件的栅极，以控制被测功率MOSFET器件的开关状态，同时CPLD还接收AD模块输出的采样信号数据并存储至静态存储模块中，当需要时CPLD从静态存储模块中调取采样信号数据并输送至上位机；所述上位机用于接收用户设置输入的测试参数从而向CPU模块输出相应的测试指令，接收CPU模块提供的采样信号数据从而实时显示被测功率MOSFET器件在雪崩耐量测试过程中漏源极之间的电压波形以及流过漏极‑源极的电流波形，判断被测功率MOSFET器件是否发生雪崩击穿，根据电压和电流计算被测功率MOSFET器件的雪崩耐量、导通电阻和输出电容。