[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，抑制在沿衬底保持件的上下方向排列的多张衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间变得不均匀。衬底处理装置(1)具有：舟皿(21)，其在能够保持晶片(7)的所有位置保持形成了图案的多张产品晶片；圆筒状的反应管(4)，其收纳舟皿；处理炉(2)，其包围反应管的上方及侧方；加热器(3)，其设在处理炉且对反应管的侧部进行加热；顶壁加热器(80)，其设在处理炉且以能够相对于加热器独立地进行控制的方式对反应管的顶壁(74)进行加热；和帽加热器(34)，其配置在反应管的内部且舟皿的下方，且以能够相对于加热器及顶壁加热器独立地进行控制的方式进行加热。

主权项

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：衬底保持件，其以规定间隔排列地保持多张衬底并且在能够进行保持的所有位置保持形成了图案的多张产品晶片；圆筒状的反应管，其具有能够在下方取放所述衬底保持件的开口、和内表面平坦的顶壁，所述反应管收纳所述衬底保持件；炉体，其包围所述反应管的上方及侧方；主加热器，其设在所述炉体，对所述反应管的侧部进行加热；顶壁加热器，其设在所述炉体，以能够相对于所述主加热器独立地进行控制的方式对所述顶壁进行加热；盖，其封堵所述开口；帽加热器，其配置在所述反应管的内部且所述衬底保持件的下方，以能够相对于所述主加热器及所述顶壁加热器独立地进行控制的方式进行加热；隔热构造体，其配置在所述衬底保持件与所述盖之间；和气体供给机构，其在所述反应管内对保持在所述衬底保持件上的多张所述产品晶片各自的表侧分别供给气体。