[发明专利]一种抗辐照LDMOS器件在审
| 申请号： | 201910143085.1 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109888017A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 方健;张二丽;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种抗辐照LDMOS器件，属于功率器件技术领域。本发明提出的LDMOS器件包括p型衬底，p型衬底中设置p阱、n型漂移区和场氧，p阱下设置有第一p+掩埋层，p阱中设置源极；n型漂移区中形成n阱，n阱中设置漏极；n型漂移区和源极之间的p阱上表面设置栅极；n型漂移区外部设置第二p+掩埋层形成隔离环；源极和栅极通过p阱与场氧隔离开，提高了LDMOS的抗总剂量效应TID的特性，从而实现抗辐照；p阱靠近所述场氧的一侧设置p+掺杂区，有效减少了有源区扩展的面积；本发明与传统的工艺完全兼容，工艺简单，具有耐高压和易于集成的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 源极 掩埋层 场氧 衬底 总剂量效应 场氧隔离 功率器件 外部设置 有效减少 掺杂区 传统的 隔离环 耐高压 上表面 漏极 源区 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种抗辐照LDMOS器件，包括p型衬底，所述p型衬底中设置p阱、n型漂移区和场氧，所述p阱下设置有第一p+掩埋层，所述p阱中设置源极；所述n型漂移区中形成n阱，所述n阱中设置漏极；所述n型漂移区和源极之间的p阱上表面设置栅极；所述n型漂移区外部设置第二p+掩埋层形成隔离环；其特征在于，所述源极和栅极通过p阱与所述场氧隔离开。
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