[发明专利]一种半导体器件及形成方法有效
| 申请号： | 201910143197.7 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111613573B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理有限公司 11597 | 代理人： | 刘锋;方岩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，通过去除所述外延结构上方的介质层，以露出所述外延结构和所述外延结构两侧的金属栅极的侧壁；并形成覆盖所述金属栅极侧壁的侧墙；形成覆盖所述外延结构的金属层；形成覆盖所述金属层的隔离层；在所述金属层的上方的预定位置形成扩散接触孔。能够确保金属栅极和金属层之间电绝缘，避免金属栅极和金属层相互短路，确保半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
