[发明专利]一种校正源存在条件下的短波单站直接定位方法有效

专利信息
申请号: 201910143409.1 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN109975749B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 王鼎;尹洁昕;杨宾;唐涛;张莉;吴志东;吴瑛;贾昌贵;陈鑫;李崇 申请(专利权)人: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
主分类号: G01S5/02 分类号: G01S5/02
代理公司: 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 代理人: 陈勇
地址: 450000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及短波单站定位技术领域,公开一种校正源存在条件下的短波单站直接定位方法,该方法首先在短波目标源附近同时放置若干位置已知的短波校正源,并利用单个观测站中的均匀圆阵接收短波信号数据,然后确定接收信号的方位角和仰角关于其经纬度以及电离层虚高参数的关系,接着基于信号子空间拟合准则构造关于目标源经纬度以及电离层虚高参数的代价函数,利用高斯‑牛顿迭代算法对目标源经纬度和电离层虚高进行联合估计,从而确定目标位置信息。由于校正源的存在,本发明可以有效抑制电离层虚高偏差对于短波信号定位精度的影响。
搜索关键词: 一种 校正 存在 条件下 短波 直接 定位 方法
【主权项】:
1.一种校正源存在条件下的短波单站直接定位方法,其特征在于,包括:步骤1:在短波目标源所在区域周边同时放置D个经纬度已知的短波校正源;步骤2:在观测站利用M元均匀圆阵对目标源信号和D个校正源信号进行接收,对接收信号进行采样,共采集K个信号样本,并建立K个信号样本对应的阵列信号模型;步骤3:确定目标源信号到达M元均匀圆阵的方位角和仰角分别与目标源经纬度及电离层虚高的关系;步骤4:确定第d个校正源信号到达M元均匀圆阵的方位角和仰角分别与第d个校正源经纬度以及电离层虚高的关系,1≤d≤D;步骤5:利用所述K个信号样本对应的阵列信号模型构造协方差矩阵,并对协方差矩阵进行特征值分解,从而获得信号子空间矩阵和最优加权矩阵;步骤6:利用所述信号子空间矩阵和最优加权矩阵构造关于目标源经纬度和电离层虚高的代价函数;步骤7:根据目标源信号到达M元均匀圆阵的方位角和仰角分别与目标源经纬度及电离层虚高的关系、第d个校正源信号到达M元均匀圆阵的方位角和仰角分别与第d个校正源经纬度以及电离层虚高的关系及所述代价函数,利用高斯‑牛顿迭代算法对目标源经纬度和电离层虚高进行联合估计,从而确定目标位置信息。
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