[发明专利]一种基于量子点的电子鼻芯片及其设计方法有效

专利信息
申请号: 201910143612.9 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN109781947B 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 刘欢;李华曜;唐江;胡志响;张雨竹;李龙;刘竞尧;田枝来;杨剑弦 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于半导体器件与集成系统技术领域,具体公开了一种基于量子点的电子鼻芯片及其设计方法,其中设计方法包括以下步骤:(1)电子鼻芯片上气体传感器阵列的设计:(1‑1)以量子点材料作为嗅觉受体材料,设计量子点气体传感器单元,设计得到在衬底上的电阻型或场效应晶体管型传感器单元;(1‑2)基于量子点气体传感器单元设计采用MEMS或TFT器件结构的量子点传感器阵列;(2)设计信号处理单元与微控制单元。本发明使用量子点材料作为嗅觉受体材料,设计并制备微纳气体传感器,结合MEMS和TFT器件结构得到传感器阵列,并在芯片上集成包含模式识别算法的MCU和信号处理单元,可得到高灵敏、小体积、低功耗的量子点电子鼻芯片。
搜索关键词: 一种 基于 量子 电子 芯片 及其 设计 方法
【主权项】:
1.一种基于量子点的电子鼻芯片的设计方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)电子鼻芯片上气体传感器阵列的设计:(1‑1)以量子点材料作为嗅觉受体材料,设计量子点气体传感器单元;设计得到的量子点气体传感器单元具体是量子点材料附着在衬底上得到的电阻型晶体管传感器单元或场效应晶体管型传感器单元;(1‑2)基于所述步骤(1‑1)得到的所述量子点气体传感器单元设计量子点传感器阵列,该量子点传感器阵列是采用MEMS器件结构或TFT器件结构;(2)电子鼻芯片上配合所述气体传感器阵列工作的信号处理单元与微控制单元的设计:(2‑1)信号处理单元的设计:设计信号处理电路对所述步骤(1)得到的所述量子点传感器阵列的响应数据进行特征提取,得到提取的数据;(2‑2)微控制单元的设计:该微控制单元包含模式识别算法,利用参数已知的待检测气体及该待检测气体气氛下所述信号处理单元提取的数据,采用模式识别算法对电子鼻进行训练和标定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910143612.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top