[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910143879.8 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN110534570A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 曹玟锡;李戴晛;李钟汉;朴洪培;李东洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 倪斌<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件可以包括：从衬底突出的多个第一有源鳍，每个第一有源鳍在第一方向上延伸；从衬底突出的第二有源鳍；以及第一有源鳍上的多个相应的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)。每个第一FinFET包括在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第一栅结构，并且第一栅结构包括第一栅绝缘层和第一栅电极。第一FinFET形成在衬底的第一区域上，并且具有第一金属氧化物层作为第一栅绝缘层，并且第二FinFET在衬底的第二区域上形成在第二有源鳍上，并且第二FinFET不包括金属氧化物层，而包括第二栅绝缘层，第二栅绝缘层的底表面与第一金属氧化物层的底表面位于同一平面。 | ||
| 搜索关键词： | 栅绝缘层 衬底 金属氧化物层 栅结构 鳍式场效应晶体管 半导体器件 第二区域 第一区域 方向垂直 栅电极 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n从衬底突出的多个第一有源鳍，每一个所述第一有源鳍在第一方向上延伸；/n从所述衬底突出的第二有源鳍；以及/n所述第一有源鳍上的多个相应的第一鳍式场效应晶体管FinFET，其中，每一个所述第一FinFET包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一栅结构，并且所述第一栅结构包括第一栅绝缘层和第一栅电极，/n其中，所述第一FinFET形成在所述衬底的第一区域上，并且具有第一金属氧化物层作为所述第一栅绝缘层，以及/n其中，第二FinFET在所述衬底的第二区域上形成在所述第二有源鳍上，并且所述第二FinFET不包括金属氧化物层，而包括第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层的底表面与所述第一金属氧化物层的底表面位于同一平面。/n
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