[发明专利]一种低温高性能碳化硅膜层及其制备方法在审
| 申请号： | 201910144297.1 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109761612A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 马腾飞;赵世凯;薛友祥;程之强;徐传伟;唐钰栋;张久美;侯立红;付金刚 | 申请（专利权）人： | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B38/00;B01D71/02;B01D67/00 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 赵奕 |
| 地址： | 255000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温高性能碳化硅膜层及其制备方法。通过利用碳化硅粉体在高温环境中的氧化，颗粒表面生成的二氧化硅，二氧化硅同加入的包裹在碳化硅颗粒表面的纳米级铝溶胶发生反应，建立起莫来石网络结构，增强了颗粒界面的强度，利用纳米级稀土氧化物分子的存在降低了液相生成温度，抑制了莫来石晶粒的生长，使得膜层中的骨料分子粒径均匀，降低了膜层阻力。本发明碳化硅膜层烧成过程中无需控制气氛，且通过烧成温度、铝溶胶加入的比例来调节碳化硅的氧化程度。整个制备工艺简单，可控，使得本发明的烧成温度较现有碳化硅膜层的烧成温度大大降低，烧成能耗也相应的大大降低，从而大大的节约了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 烧成 膜层 制备 高性能碳化硅 碳化硅膜层 二氧化硅 莫来石 纳米级稀土氧化物 碳化硅颗粒表面 纳米级铝溶胶 碳化硅粉体 晶粒 分子粒径 高温环境 颗粒表面 控制气氛 网络结构 液相生成 制备工艺 铝溶胶 碳化硅 骨料 可控 能耗 生长 节约 | ||
【主权项】：
1.一种低温高性能碳化硅膜层的制备方法，其特征是，包括以下步骤：将碳化硅、铝溶胶、稀土及分散剂混合，涂覆在相应的支撑体上，在1000‑1190℃烧成温度下烧制即得。
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