[发明专利]磁性结、提供磁性结的方法以及磁存储器在审
| 申请号： | 201910145057.3 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110224062A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | D.郑;D.阿帕尔科夫;V.尼基廷 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 描述了磁性结、使用该磁性结的磁存储器和提供该磁性结的方法。该磁性结包括第一参考层、具有第一厚度的主势垒层、自由层、设计制造的辅助势垒层和第二参考层。当写入电流穿过磁性结时，自由层在稳定的磁性状态之间可切换。主势垒层在第一参考层与自由层之间。辅助势垒层在自由层与第二参考层之间。设计制造的辅助势垒层具有电阻、小于第一厚度的第二厚度、以及拥有比所述电阻小的减小的电阻的多个区域。自由层和参考层每个具有垂直磁各向异性能和小于所述垂直磁各向异性能的面外退磁能。 | ||
| 搜索关键词： | 参考层 自由层 势垒层 电阻 垂直磁各向异性 磁存储器 主势垒层 磁性状态 写入电流 可切换 退磁能 减小 制造 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种磁性结，位于衬底上并且可用在磁性器件中，所述磁性结包括：第一参考层；具有第一厚度的主势垒层；自由层，当写入电流穿过所述磁性结时，所述自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换，所述主势垒层位于所述第一参考层与所述自由层之间；设计制造的辅助势垒层，具有电阻和小于所述第一厚度的第二厚度，所述设计制造的辅助势垒层具有多个区域，所述多个区域具有小于所述电阻的减小的电阻；以及第二参考层，所述设计制造的辅助势垒层在所述自由层与所述第二参考层之间，所述自由层、所述第一参考层和所述第二参考层的每个具有垂直磁各向异性能和小于所述垂直磁各向异性能的面外退磁能。
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