[发明专利]一种N型电池的共扩散工艺在审
| 申请号： | 201910145703.6 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109962012A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 宫欣欣;张林;张昕宇;金浩;武禄;盛浩杰;张波 | 申请（专利权）人： | 晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州永航联科专利代理有限公司 33304 | 代理人： | 侯兰玉 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电池的制造工艺，特别涉及一种N型电池的共扩散工艺，属于太阳能电池领域。一种N型电池的共扩散工艺，该工艺包括如下步骤，i)制绒：硅片清洗制绒，表面形成金字塔结构；ii)硼源沉积：采用APCVD的方法在硅片绒面沉积一层BSG，通入SiH4及B2H6气体，沉积温度为250‑270℃，沉积厚度为50‑70nm；iii)硼磷共扩散：将带有单面BSG的硅片放入管式炉中，先升温至980‑1000℃，在氮气或氧气环境下，推进硼的扩散，时间为25‑35min；降温至850‑860℃，通入磷源，沉积一层PSG，时间为8‑12min；高温共推进工艺，温度为945‑960℃，时间为25‑35min。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 扩散工艺 电池 硅片 制绒 太阳能电池领域 氮气 金字塔结构 扩散 表面形成 硅片清洗 推进工艺 氧气环境 制造工艺 管式炉 放入 磷源 硼磷 硼源 绒面 | ||
【主权项】：
1.一种N型电池的共扩散工艺，其特征在于：该工艺包括如下步骤，i)制绒：硅片清洗制绒，表面形成金字塔结构；ii)硼源沉积：采用APCVD的方法在硅片绒面沉积一层BSG，通入SiH4及B2H6气体，沉积温度为250‑270℃，沉积厚度为50‑70nm；iii)硼磷共扩散：1.将带有单面BSG的硅片放入管式炉中，先升温至980‑1000℃，在氮气或氧气环境下，推进硼的扩散，时间为25‑35min；2.降温至850‑860℃，通入磷源，沉积一层PSG，时间为8‑12min；3.高温共推进工艺，温度为945‑960℃，时间为25‑35min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
