[发明专利]背面全钝化接触太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种背面全钝化接触太阳能电池及其制备方法，该电池包括从下至上依次连接全铝背电场、纳米晶氢化硼掺杂碳化硅层、氧化硅层、P型硅、n+发射极层和氮化硅层，以及背面电极、重掺杂n++发射极和正面电极，重掺杂n++发射极的一端连接正面电极，另一端穿过n+发射极层镶嵌在P型硅中。其制备方法包括清洗、制绒、扩散、正面激光SE、二次清洗、表面化学氧化、沉积钝化层、烧结、氢化、制备氮化硅层、丝网印刷和烧结。本发明电池具有短路电流大、开路电压高、光电转换效率高等优点，其制备方法有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，能够满足大规模制备，利于工业化利用，具有十分重要的意义。

主权项

1.一种背面全钝化接触太阳能电池，其特征在于，包括背面电极(1)、全铝背电场(2)、纳米晶氢化硼掺杂碳化硅层(3)、氧化硅层(4)、P型硅(5)、n+发射极层(6)、重掺杂n++发射极(7)、氮化硅减反射钝化膜(8)和正面电极(9)；所述全铝背电场(2)、纳米晶氢化硼掺杂碳化硅层(3)、氧化硅层(4)、P型硅(5)、n+发射极层(6)和氮化硅减反射钝化膜(8)从下至上依次连接；所述重掺杂n++发射极(7)的一端与正面电极(9)连接，另一端穿过n+发射极层(6)并镶嵌在P型硅(5)中。