[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可解决有源层的制备工序繁琐的问题。在衬底上形成有源层包括：在衬底上形成半导体图案，半导体图案包括沟道区；在半导体图案上形成阻挡层；以第一角度对半导体图案进行第一次离子注入，在沟道区的第一侧和第二侧分别形成第一掺杂区；以第二角度对半导体图案进行第二次离子注入，在沟道区的第一侧形成第二掺杂区；以第三角度对半导体图案进行第二次离子注入，在沟道区的第二侧形成第二掺杂区；第一次离子注入的离子浓度大于第二次离子注入的离子浓度，第一角度、第二角度和第三角度均为离子束与衬底的夹角，第二角度和第三角度均小于第一角度。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成有源层；所述在衬底上形成有源层，包括：在所述衬底上形成半导体图案，所述半导体图案包括沟道区；在所述半导体图案上形成阻挡层，所述阻挡层在所述半导体图案上的正投影位于所述半导体图案的边界内；所述沟道区在所述阻挡层上的正投影位于所述阻挡层的边界内；以第一角度对所述半导体图案进行第一次离子注入，通过所述阻挡层的阻挡，在所述沟道区的第一侧和第二侧分别形成第一掺杂区；所述第一侧和所述第二侧位于所述沟道区的相对两侧；以第二角度对所述半导体图案进行第二次离子注入，通过所述阻挡层的阻挡，在所述沟道区的所述第一侧形成第二掺杂区；以第三角度对所述半导体图案进行第二次离子注入，通过所述阻挡层的阻挡，在所述沟道区的所述第二侧形成第二掺杂区；所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述沟道区之间；其中，所述第一次离子注入的离子浓度大于所述第二次离子注入的离子浓度，所述第一角度、所述第二角度和所述第三角度均为离子束与所述衬底的夹角，所述第二角度和所述第三角度均小于所述第一角度。