[发明专利]半导体封装结构及用于形成半导体封装结构的方法有效
| 申请号： | 201910146963.5 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110544687B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 叶庭聿;许家豪;陈伟铭;丁国强;俞笃豪;侯上勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体封装结构及用于形成半导体封装结构的方法，所述半导体封装结构包含：衬底；第一半导体裸片及第二半导体裸片，其位于所述衬底上方；及多热接口材料TIM结构，其经安置于所述第一半导体裸片及所述第二半导体裸片上方。所述第一半导体裸片包含第一热输出，且所述第二半导体裸片包含小于所述第一热输出的第二热输出。所述多TIM结构包含经安置于所述第一半导体裸片的至少一部分上方的第一TIM层及第二TIM层。所述第一TIM层的导热系数高于所述第二TIM层的导热系数。所述第一TIM层覆盖所述第一半导体裸片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其包括：/n衬底；/n多个半导体裸片，其位于所述衬底上方；及/n多热接口材料TIM结构，其位于所述多个半导体裸片上方，/n其中所述多TIM结构包括第一TIM层及第二TIM层，且所述第一TIM层的导热系数(Tk)不同于所述第二TIM层的导热系数。/n
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