[发明专利]一种磷掺杂MXene材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910147421.X | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109994719B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 徐斌;陈赫;张鹏 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M10/0525;H01M10/054 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磷掺杂MXene材料及其制备方法，所述材料为磷原子以及含磷官能团修饰的片层堆积而成的一种过渡金属碳化物或者氮化物。其中，磷元素在材料中所占质量分数为0.58～5.03 wt%，电导率高达1825～3235 S/cm，所述材料的层间距较大，其范围为1.36～1.64 nm，且具有一定的缺陷和孔结构。所述材料表面的含磷官能团和掺杂磷原子为MXene材料提供丰富的活性位点，不仅能够改善表面活性、催化性能，还能形成氧化还原反应位点产生赝电容，具有广泛的应用前景。此外，本发明还提供了一种磷掺杂MXene材料的制备方法，将MXene材料与磷源在纳米尺寸上达到均匀混合后，进行高温直接热处理的方法可制得高磷含量的MXene材料，且该制备工艺简单、成本低廉、适合应用于大规模的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 mxene 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磷掺杂MXene材料，其特征在于所述材料为磷原子以及含磷官能团修饰的一种二维过渡金属碳化物或者氮化物。其中，磷元素在所述材料中所占的质量分数为0.58～5.03 wt %，电导率高达1825～3235 S/cm，所述材料的层间距范围为1.36～1.64 nm，其微观结构上具有一定的孔结构和缺陷。
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