[发明专利]微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板在审
| 申请号： | 201910147435.1 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111627949A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;邢汝博;韦冬;李晓伟;张宇 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板，该微发光二极管像素单元器件结构包括：氮化镓基微发光二极管结构，氮化镓基微发光二极管结构包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；和与氮化镓基微发光二极管结构电连接的薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于p型氮化镓层之上。通过直接利用半导体技术，在已经包括LED基本工艺结构的氮化镓基LED外延片上制备TFT结构，规避了现有技术中利用巨量转移技术实现微LED和TFT的集成所带来的成本高、良率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 像素 单元 器件 结构 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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