[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910147566.X | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111627814A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法包括：形成第一侧墙层和位于第一侧墙层上的第二侧墙层，第一侧墙层位于第二侧墙层和伪栅结构之间以及第二侧墙层和鳍部之间；在第二侧墙层的侧壁上形成第三侧墙层，第三侧墙层还覆盖第二侧墙层底部的第一侧墙层；形成第三侧墙层后，在伪栅结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层；去除伪栅结构和第一侧墙层，在第二侧墙层和第三侧墙层之间形成倒T型沟槽；在倒T型沟槽中形成栅极结构，栅极结构包括位于相邻第三侧墙层之间的栅极宽段，以及位于相邻第二侧墙层之间的栅极窄段。本发明实施例降低所述栅极结构与所述源漏掺杂层之间的电容耦合效应，进而使得半导体结构内的寄生电容变小，优化了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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