[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910147853.0 | 申请日： | 2014-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN109888022A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须泽英臣;冈崎丰 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 氧化物半导体层 氧化铝膜 绝缘层 氧化物半导体 控制阈值电压 微型化 包围 加热处理 栅电极层 制造工序 本征化 电特性 阻挡性 沟道 混入 脱离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底之上的第一层；所述第一层之上的第二层；与所述第二层的顶面和侧面接触并与所述第一层的侧面接触的第三层；隔着栅极绝缘层在所述第三层之上的栅电极层；以及所述栅电极层之上的氧化铝膜，其中所述第一层、所述第二层和所述第三层中的每一层含有铟、镓和锌。
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