[发明专利]一种基于原子层沉积的量子点光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201910147910.5 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN109920920B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 陈蓉;姜晨晨;单斌;曹坤;文艳伟;周彬泽;向勤勇;耿士才;井尧;刘梦佳 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44;B82Y40/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于光学材料制备领域,并公开了一种基于原子层沉积的量子点光电探测器及其制备方法。该制备方法包括将量子点溶液旋涂在洁净基底上制备第一量子点薄膜,然后将有机物配体溶液滴覆在第一量子点薄膜上并静置一段时间,待配体交换完成后用溶剂进行清洗,从而完成配体交换层薄膜的制备;将量子点溶液旋涂在配体交换层薄膜上制备单层量子点薄膜,在惰性气氛下进行原子层沉积使该单层量子点薄膜充分钝化,重复上述步骤数次从而获得钝化层薄膜,最后在钝化层薄膜上蒸镀电极制成量子点光电探测器。本发明采用原子层沉积技术钝化量子点薄膜表面,能够提高器件的光暗电流比,优化探测器的器件性能,并且形成PN结双层结构,能够有效提高响应速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 原子 沉积 量子 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于原子层沉积的量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:(a)将量子点溶液旋涂在洁净基底上制备第一量子点薄膜,然后将有机物配体溶液滴覆在所述第一量子点薄膜上并静置一段时间,待配体交换完成后用溶剂进行清洗,从而完成配体交换层薄膜的制备;(b)将量子点溶液旋涂在所述配体交换层薄膜上制备单层量子点薄膜,然后在惰性气氛下进行原子层沉积使该单层量子点薄膜充分钝化,重复上述步骤数次从而获得钝化层薄膜,最后在该钝化层薄膜上蒸镀电极制成所述量子点光电探测器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910147910.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择