[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201910148181.5 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109920856B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;王东方;王庆贺;刘宁;黄勇潮;季雨;王政;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张琛 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。所述薄膜晶体管形成在基板上，它包括：设置在基板上的有源层，所述有源层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；设置在所述有源层的远离所述基板一侧的第一栅极；和设置在所述第一栅极的远离所述基板一侧的第二栅极，其中，所述第一栅极的厚度小于所述第二栅极的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，形成在基板上，所述薄膜晶体管包括：设置在基板上的有源层，所述有源层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；设置在所述有源层的远离所述基板一侧的第一栅极；和设置在所述第一栅极的远离所述基板一侧的第二栅极，其中，所述第一栅极的厚度小于所述第二栅极的厚度。
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