[发明专利]一种二元过渡金属氧化物薄膜纳米图形加工方法在审
| 申请号： | 201910148197.6 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109879248A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 燕少安;王冬;龚俊;王海龙 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二元过渡金属氧化物薄膜纳米图形加工方法。该方法通过对导电原子力显微镜(C‑AFM)探针针尖施加一定的直流偏压，使二元过渡金属氧化物薄膜在与探针接触的界面处产生离子电化学反应，通过控制偏压的幅值、施加次数和针尖作用区域及扫描次数，实现对二元过渡金属氧化物薄膜不同形状的纳米图形加工。本发明不但具有纳米级加工精度、加工流程简便、超低能耗、无污染、不需要掩膜版等优点，并且本发明的方法降低了对探针针尖的物理损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡金属氧化物 薄膜 纳米图形 探针针尖 导电原子力显微镜 加工 施加 电化学反应 纳米级加工 超低能耗 加工流程 探针接触 物理损伤 直流偏压 作用区域 界面处 掩膜版 针尖 离子 扫描 | ||
【主权项】：
1.一种二元过渡金属氧化物薄膜纳米图形加工方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将样品放置于样品台上，通过导线将C‑AFM探针、样品、样品台、电压源连成回路。S2、使用C‑AFM扫描指定区域的形貌并选取所要加工的位置。S3、为C‑AFM探针针尖施加直流偏压，使样品与针尖接触的界面处发生离子电化学反应，通过控制偏压的幅值、施加次数和针尖作用区域及扫描次数，实现对二元过渡金属氧化物薄膜不同形状的纳米图形加工。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910148197.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
