[发明专利]基于硒化钼双光子吸收的集成光学自相关仪及测量方法

摘要

一种基于硒化钼双光子吸收的集成光学自相关仪及测量方法,集成光学自相关仪包括基片、输入波导、分路器、连接波导、固定延时器、可调延时器、可调延时器接口、第一连接器、合路器、输出波导、硒化钼薄膜、片上电极、第二连接器和控制器。本发明利用硒化钼材料的双光子吸收特性，通过简单的结构，就可以实现片上集成光学自相关仪，实现对片上脉冲宽度的测量。

主权项

1.一种基于硒化钼双光子吸收的集成光学自相关仪,其特征在于：该装置包括：基片(1)、输入波导(2)、分路器(3)、连接波导(4)、固定延时器(5)、可调延时器(6)、可调延时器接口(61)、第一连接器(62)、合路器(7)、输出波导(8)、硒化钼薄膜(9)、片上电极(10)、第二连接器(101)和控制器(11)，所述的输入波导(2)、分路器(3)、连接波导(4)、固定延时器(5)、可调延时器(6)、可调延时器接口(61)、合路器(7)、输出波导(8)、硒化钼薄膜(9)和片上电极(10)都制备在所述的基片(1)上，沿输入光脉冲的传播方向依次是所述的输入波导(2)和分路器(3)，该分路器(3)将输入光分成上支路和下支路，所述的上支路经所述的连接波导(4)、固定延时器(5)、连接波导(4)进入所述的合路器(7)，所述的下支路经所述的连接波导(4)、可调延时器(6)、连接波导(4)进入所述的合路器(7)，所述的合路器(7)合成一路经所述的输出波导(8)和硒化钼薄膜(9)输出，所述的可调延时器(6)通过可调延时器接口(61)和第一连接器(62)与所述的控制器(11)相连，所述的硒化钼薄膜(9)覆盖所述的在输出波导(8)上，所述的硒化钼薄膜(9)的宽度超过所述的输出波导(8)的宽度，波导两侧的硒化钼薄膜(9)覆盖在所述的基片(1)上，波导两侧的硒化钼薄膜(9)分别通过一个片上电极(10)经第二连接器(101)与所述的控制器(11)相连；所述的可调延时器(6)是级联2x2开关结构，共N级，N是大于2的自然数，第j级中两路的延时分别是Δt和Δt+2^j‑1Δt，Δt是一个固定延时，这样可调延时器6的最小延时是NΔt，最大延时是NΔt+(2^N‑1)Δt。