[发明专利]一种铜铟硫太阳能电池吸收层的制备方法在审
申请号: | 201910148597.7 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN109872944A | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 白利锋;吴怡芳;冯建情;郝清滨;李成山 | 申请(专利权)人: | 西北有色金属研究院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/032 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710016*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种铜铟硫太阳能电池吸收层的制备方法,该方法包括:一、将轧制铟箔叠放在无氧铜板上轧制得铜铟双金属复合箔材;二、将铜铟双金属复合箔材依次进行第一次加热保温和通入硫蒸气第二次加热保温,使铜铟双金属复合箔材的表面从里至外依次形成铜铟硫层和硫化铜层;三、将表面形成铜铟硫层和硫化铜层的铜铟双金属复合箔材进行刻蚀处理除去硫化铜层,得到铜铟硫太阳能电池吸收层。本发明以铜片和铟箔为原材料,采用机械轧制结合硫化热处理和表面刻蚀制备铜铟硫太阳能电池吸收层,大幅度提高了铜铟双金属复合箔材的制备效率和制备速度,有效保证了铜铟硫太阳能电池吸收层的性能,制备方法简单,生产效率较高,对设备要求少,成本较低。 | ||
搜索关键词: | 铜铟硫 太阳能电池吸收层 双金属复合 制备 箔材 铜铟 轧制 硫化铜层 加热保温 铟箔 热处理 表面刻蚀 表面形成 生产效率 无氧铜板 对设备 硫蒸气 硫化 刻蚀 铜片 保证 | ||
【主权项】:
1.一种铜铟硫太阳能电池吸收层的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、制备金属复合预制层:将无氧铜板和轧制铟箔分别进行前处理,然后将经前处理后的轧制铟箔叠放在经前处理后的无氧铜板上,再放置于轧机中进行轧制,得到铜铟双金属复合箔材;所述前处理的过程为:先将无氧铜板和轧制铟箔分别依次采用金属清洗剂、稀盐酸和去离子水清洗,再采用乙醇进行脱水并干燥;步骤二、硫化热处理:将步骤一中得到的铜铟双金属复合箔材置于氩气气氛中,先进行第一次加热保温,使铜铟双金属复合箔材的表面形成铜铟合金层,然后通入硫蒸气进行第二次加热保温,使铜铟双金属复合箔材的表面从里至外依次形成铜铟硫层和硫化铜层;步骤三、表面刻蚀:将步骤二中表面形成铜铟硫层和硫化铜层的铜铟双金属复合箔材浸入刻蚀溶液中进行刻蚀处理除去硫化铜层,得到铜铟硫太阳能电池吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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