[发明专利]一种增加电容密度的红外探测器芯片有效
| 申请号： | 201910148679.1 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109870241B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/34 | 分类号： | G01J5/34 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加电容密度的红外探测器芯片，包括像元阵列和读出电路所需的电容阵列，所述电容阵列位于所述像元阵列的上方或/和下方，所述像元阵列包括M行N列的像素单元，所述电容阵列包括A行N/A列的电容单元，且每一列的像素单元对应电容阵列中的一个电容单元；所述电容阵列和像元阵列的行方向和列方向均相同，电容单元在行方向上的长度等于A个像素单元在行方向上的长度。本发明提供的一种增加电容密度的红外探测器芯片，将单层金属层之间的电容扩展为多层，增加了电容密度，同时，通过在阵列上下分布电容单元，并增加电容单元宽度的方式，提高列读出电路之间的性能匹配，并最终提升整个芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 电容 密度 红外探测器 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种增加电容密度的红外探测器芯片，其特征在于，包括像元阵列和读出电路所需的电容阵列，所述电容阵列位于所述像元阵列的上方或/和下方，所述像元阵列包括M行N列的像素单元，所述电容阵列包括A行N/A列的电容单元，且每一列的像素单元对应电容阵列中的一个电容单元；所述电容阵列和像元阵列的行方向和列方向均相同，电容单元在行方向上的长度等于A个像素单元在行方向上的长度；其中，M、N、A、N/A均为大于1的整数。
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