[发明专利]GaN基半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910149203.X | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111627856A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 贾海强;赵明龙;陈弘;杜春花;江洋;马紫光;王文新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/335;H01L29/778;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基半导体器件及其制备方法，所述制备方法依次包括下列步骤：步骤1)，提供一个GaN基半导体外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaN基半导体外延层；步骤2)，在所述GaN基半导体外延层上表面制备多组电极，将所述多组电极中相邻两组电极之间的GaN基半导体外延层去除，以使得所述相邻两组电极之间具有刻蚀间道；步骤3)，将过渡基板粘附在所述多组电极的表面上；步骤4)，移除所述非金属衬底；步骤5)，在所述GaN基半导体外延层的下表面上制备与所述多组电极相对应的多组金属基板组件；步骤6)，移除所述过渡基板。本发明的制备方法避免了划片机对GaN基半导体器件结构带来的损伤和性能的降低，且便于分片，提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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