[发明专利]GaAs基光电器件及其阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201910149206.3 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111628022B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;霍雯雪;贾海强;杜春花;江洋;王文新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/0232;H01L31/024;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaAs基光电器件及GaAs基光电器件阵列的制备方法，GaAs基光电器件从下至上依次包括：金属基板组件；背电极层；背电极欧姆接触层；间道腐蚀阻挡层；GaAs有源层；顶电极欧姆接触层；顶电极层。制备方法包括步骤：1)，提供一个GaAs基光电器件外延片，其包括衬底，衬底腐蚀阻挡层，背电极欧姆接触层，间道腐蚀阻挡层，GaAs有源层，顶电极欧姆接触层；2)，在顶电极欧姆接触层上制备顶电极层；3)，形成间道沟槽；4)，将过渡基板粘附在顶电极层上；5)，移除衬底和衬底腐蚀阻挡层；6)，在背电极欧姆接触层上制备背电极层；7)，在背电极层上制备金属基板组件；8)，移除过渡基板。GaAs基光电器件散热能力好，制备方法提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 光电 器件 及其 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
