[发明专利]铯掺杂钙钛矿吸光层的制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910149261.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109830606A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 耿显葳;赵春;赵策洲;杨莉;尹力 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铯掺杂钙钛矿吸光层的制备方法与应用,属于太阳能电池技术领域。所述铯掺杂钙钛矿吸光层的制备方法将FAI、PbI2、MABr和PbBr2溶于DMSO和无水DMF的混合溶液中，再加入混合有CsI的DMSO溶液，制备得到含铯的吸光层前驱体溶液；将含铯的吸光层前驱体溶液滴到TiO2膜层上，采用两步旋涂法在TiO2膜层上生长得到铯掺杂钙钛矿吸光层。本发明制备的封装太阳能电池具有长期高稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 吸光层 制备 钙钛矿 掺杂 前驱体溶液 太阳能电池技术 混合溶液中 太阳能电池 高稳定性 无水DMF 旋涂法 封装 应用 生长 | ||
【主权项】：
1.一种铯掺杂钙钛矿吸光层的制备方法,其特征在于，将FAI、PbI2、MABr和PbBr2溶于DMSO和无水DMF的混合溶液中，再加入混合有CsI的DMSO溶液，制备得到含铯的吸光层前驱体溶液；将含铯的吸光层前驱体溶液滴到TiO2膜层上，采用两步旋涂法在TiO2膜层上生长得到铯掺杂钙钛矿吸光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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