[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910149502.3 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584495B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王子嵩 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，其中该电阻式随机存取存储器包括堆叠结构、至少一垂直电极、选择元件以及多个可变电阻结构。堆叠结构是由交替堆叠的多个水平电极与多个第一介电层所组成，其中堆叠结构具有至少一孔道贯穿水平电极与第一介电层。垂直电极形成于至少一孔道内。选择元件形成于垂直电极与堆叠结构之间的孔道内。可变电阻结构设置于每个水平电极的表面并与孔道内的选择元件接触。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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