[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910149942.9 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110061112B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的牺牲层、金属膜层、缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述牺牲层为石墨烯层或者GaTe层，所述金属膜层包括若干位于所述牺牲层上的金属岛、且各个所述金属岛均与所述牺牲层接触，包围所述金属岛的横截面、且面积最小的圆的直径为500～1500nm，相邻所述金属岛之间存在间隙。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的牺牲层、金属膜层、缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述牺牲层为石墨烯层或者GaTe层，所述金属膜层包括若干位于所述牺牲层上的金属岛、且各个所述金属岛均与所述牺牲层接触，包围所述金属岛的横截面、且面积最小的圆的直径为500～1500nm，相邻所述金属岛之间存在间隙。
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