[发明专利]用于承受1000W的3dB Lange耦合器及制备方法在审
申请号: | 201910150536.4 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN110233323A | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 周全;陈书宾;邓世雄;魏少伟;祁广峰;武义桥;谢潇 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01P5/18 | 分类号: | H01P5/18;H01P11/00 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 高欣 |
地址: | 050051 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于承受1000W的3dB Lange耦合器及制备方法,包括基片,所述基片上设有输入端口、耦合端口、直通端口、隔离端口、多个连接在各端口之间的指状微带线及连接在指状微带线之间的键合金丝,所述隔离端口的外侧和所述输入端口的外侧之间的长度L1为8.634mm;所述输入端口的外侧和所述耦合端口的外侧之间的宽度W1为2.518mm;所述基片的高度H为1mm;所述指状微带线的宽度W3均为0.100mm;相邻的指状微带线的间距W4均为0.084mm。本发明提供的用于承受1000W的3dB Lange耦合器,体积小,能承受宽脉宽3ms、大占空比30%的1000W输入功率。 | ||
搜索关键词: | 微带线 指状 输入端口 隔离端口 耦合端口 制备 大占空比 键合金丝 输入功率 直通端口 体积小 宽脉 | ||
【主权项】:
1.用于承受1000W的3dB Lange耦合器,包括基片,所述基片上设有输入端口、耦合端口、直通端口、隔离端口、多个连接在各端口之间的指状微带线以及连接在指状微带线之间的键合金丝,其特征在于,所述隔离端口的外侧和所述输入端口的外侧之间的长度L1为8.634mm;所述输入端口的外侧和所述耦合端口的外侧之间的宽度W1为2.518mm;所述基片的高度H为1mm;所述指状微带线的宽度W3均为0.100mm;相邻的指状微带线的间距W4均为0.084mm。
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