[发明专利]存储器装置、存储器系统及操作存储器装置的方法有效
| 申请号： | 201910150637.1 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110706729B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 金钟旭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储器装置、存储器系统及操作存储器装置的方法。本文可以提供存储器装置、存储器系统以及操作存储器装置的方法。当与存储器单元的编程操作或擦除操作相关联的正常操作循环全部失败时，考虑到源极选择晶体管、漏极选择晶体管和虚设单元中的至少一个的劣化状态而执行对正常操作循环中的至少一个进行重复的重试操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 系统 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：/n执行包括正常操作循环的正常操作，使得被选单元串中的被选存储器单元具有目标阈值电压，其中，所述正常操作循环是基于从第一操作脉冲到第k操作脉冲按照步进电压依次增加的操作电压来执行的；以及/n当所述正常操作的用于所述第k操作脉冲的第k正常操作循环失败时，执行对所述正常操作循环中的至少一个进行重复的第一重试操作，/n其中，在所述第一重试操作中以与所述正常操作中不同的方式控制以下电压设置条件中的至少一个：用于与所述被选单元串的源极选择晶体管联接的源极选择线的第一电压设置条件、用于与所述被选单元串的漏极选择晶体管联接的漏极选择线的第二电压设置条件以及用于与所述被选单元串的虚设单元联接的虚设字线的第三电压设置条件。/n
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