[发明专利]X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅

摘要

本发明属于超快诊断领域，提供了一种X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅，解决现有工艺制备的调制光栅，其金属层较薄，难以制备高深宽比的光栅，不能很好实现对X射线阻挡作用的问题，该方法包括以下步骤：步骤一、以全光固体超快探测芯片外延片的外延面作为光栅材料的衬底，选择合适的光栅材料，所述光栅材料为能有效吸收X射线的金属材料；步骤二、在衬底上制备导电的金属模块，形成种子层；步骤三、在种子层上制备胶膜，采用SU‑8胶进行光刻，形成胶光栅结构；步骤四、对制备有胶光栅结构的衬底进行微电镀，形成金属光栅结构；步骤五、去除SU‑8胶，获得金属光栅。

主权项

1.一种X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、选择光栅材料以全光固体超快探测芯片外延片的外延面作为光栅材料的衬底，所述光栅材料为能有效吸收X射线的金属材料；步骤二、制备种子层在衬底上制备导电的金属模块，形成种子层；步骤三、制备胶光栅结构在种子层上制备胶膜，采用SU‑8胶进行光刻，形成胶光栅结构；步骤四、制备金属光栅结构对制备有胶光栅结构的衬底进行微电镀，形成金属光栅结构；步骤五、去胶去除种子层上的SU‑8胶，获得金属光栅。