[发明专利]新型单极化三维超宽带吸波体有效

专利信息
申请号: 201910150743.X 申请日: 2019-02-28
公开(公告)号: CN109818153B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 罗国清;俞伟良;俞钰峰;张晓红;代喜旺 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱亚冠
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及新型单极化三维超宽带吸波体。传统的吸波结构采用二维吸波面的级联实现,虽然能够实现很宽的吸波带,但是一个单元内往往需要用到很多集总电阻,大大的增加了设计成本。本发明采用三维结构,用极少的电阻实现了单极化的超宽带吸波体。本发明包括并联设置的吸波腔A和吸波腔B;吸波腔A由第一、二、三金属面,第一、二介质基片,第一、二、三金属线以及焊接在第二金属线中心的第一电阻组成;吸波腔B由第一、二、三金属面,第一、二金属化过孔,第四金属线以及焊接在第四金属线中心的第二电阻组成。
搜索关键词: 新型 极化 三维 宽带 吸波体
【主权项】:
1.新型单极化三维超宽带吸波体为周期性结构,每个结构单元包括并联设置的吸波腔A和吸波腔B;所述的吸波腔A和吸波腔B均为周期性分布结构单元,每个单元无缝排布;所述的吸波腔A由第一、二、三金属面,第一、二介质基片,第一、二、三金属线以及焊接在第二金属线中心的第一电阻组成;所述的吸波腔B由第一、二、三金属面,第一、二金属化过孔,第四金属线以及焊接在第四金属线中心的第二电阻组成;所述的第一、二、三金属面为吸波腔A和吸波腔B的共用金属面;第一介质基片与第二介质基片上下平行设置,且中间留有空气腔;第一介质基片的上表面铺设第一金属面,第二介质基片的下表面铺设第三金属面;第一介质基片上表面的第一金属面与第二介质基片下表面的第三金属面的相同一侧通过第二金属面连接;在另一侧,第一介质基片的下表面设有第一金属线,第一金属线的一端与第二金属线的一端连接,另一端与其他金属结构无任何电气连接;第二介质基片的上表面设有第三金属线,第三金属线的一端与第二金属线的另一端连接,另一端与其他金属结构无任何电气连接;第一介质基片与第二介质基片的在x轴向的中点处,z轴正向距离第二金属面d处分别开有第一、二金属化过孔,第四金属线的两端分别与第一、二金属化过孔连接;所述的第一、二介质基片完全相同。
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