[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板在审
| 申请号： | 201910151043.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109860109A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 胡泉;李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，该薄膜晶体管的制作方法包括：提供基板；在基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成图案化的第一非晶硅层，第一非晶硅层包括多个间隔设置的分隔体；在形成有第一非晶硅层的缓冲层上形成第二非晶硅层；采用准分子镭射退火对第一非晶硅层和第二非晶硅层进行处理，以形成对应的第一多晶硅层和第二多晶硅层。通过这种方式，能够实现非晶硅层经准分子镭射退火形成多晶硅层时的定点结晶，有利于增大晶粒，减少晶界，大幅度改善准分子镭射退火结晶的均一性，进而能够改善开关TFT和驱动TFT的电性均一性，提升LTPS‑TFT的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅层 退火 薄膜晶体管 准分子镭射 多晶硅层 缓冲层 显示面板 均一性 基板 制作 间隔设置 开关TFT 晶粒 分隔体 图案化 电性 晶界 良率 驱动 申请 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供基板；在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成图案化的第一非晶硅层，所述第一非晶硅层包括多个间隔设置的分隔体；在形成有所述第一非晶硅层的所述缓冲层上形成第二非晶硅层；采用准分子镭射退火对所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层进行处理，以形成对应的第一多晶硅层和第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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