[发明专利]一种N型块材稀磁半导体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910151453.7 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109920617A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 宁凡龙;郭胜利;顾轶伦 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/00;C30B29/40;C30B1/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型块材稀磁半导体及其制备方法。本发明采用固相反应法，并使用淬火的方法制得N型块材稀磁半导体，该样品具有与ThCr2Si2相同的四方的晶体结构，居里温度最高可达到45K。采用淬火方法得到的样品没有正交结构的杂相。获得N型块材稀磁半导体，对稀磁半导体的物理研究以及潜在的应用都有着重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 稀磁半导体 块材 淬火 制备 固相反应法 晶体结构 物理研究 正交结构 潜在的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种N型块材稀磁半导体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)Ba(Zn1‑xCox)2As2前驱体的制备根据通式Ba(Zn1‑xCox)2As2，按照各个组成物的配比，将Ba、Zn、Co和As在惰性气体中混合，烧结，自然降温，即得Ba(Zn1‑xCox)2As2前驱体；其中x＝0.01‑0.05；2)Ba(Zn1‑xCox)2As2块材N型稀磁半导体的制备在惰性气体中，将Ba(Zn1‑xCox)2As2前驱体压制成片，烧结，淬火，即得N型块材稀磁半导体。
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