[发明专利]一种制备双电子传输层钙钛矿太阳能电池方法

摘要

本发明实施例提供本发明提供了一种利用双电子传输层结构制备高性能钙钛矿太阳能电池的方法。所述方法包括：在掺杂氟的氧化锡透明导电玻璃上制备双电子传输层；所述双电子传输层为铟镓锌氧薄膜和氧化锡薄膜，所述IGZO薄膜的制备方法可选磁控溅射或者溶液旋涂，层厚10‑45nm；采用溶液旋涂的方法制备一层有机无机杂化钙钛矿结构的FA0.7MA0.2Cs0.1Pb(Br0.05I0.95)3作为光吸收层；采用溶液旋涂的方法制备一层Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层；采用真空蒸镀金电极。上述技术方案具有如下有益效果：减少太阳能电池内部载流子复合促进有效能量输出，提高太阳能电池的填充因子(FF)，以制备高能量转换效率的太阳能电池。

主权项

1.一种具有双电子传输层结构的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1.在掺杂氟的FTO导电玻璃上制备双电子传输层；所述双电子传输层为IGZO薄膜和SnO₂薄膜，所述IGZO薄膜的制备方法选磁控溅射或者溶液旋涂，层厚10‑45nm；所述SnO₂薄膜采用溶液旋涂法制备；步骤2.在所述双电子传输层上采用溶液旋涂的方法制备一层有机无机杂化钙钛矿结构的FA_0.7MA_0.2Cs_0.1Pb(Br_0.05I_0.95)₃作为光吸收层；步骤3.在所述光吸收层上采用溶液旋涂的方法制备一层Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层；步骤4.在所述空穴传输层上采用真空蒸镀的方法制备一层金属电极层。