[发明专利]一种量子点发光层及其制备方法、量子点器件

摘要

本发明公开了一种量子点发光层及其制备方法、量子点器件。其中量子点发光层包括至少一量子点复合结构，量子点复合结构包括依次设置的第一量子点层、第一高分子桥接层以及第二量子点层，或者量子点复合结构包括依次设置第一高分子桥接层、第一量子点层以及第二量子点层，第一高分子桥接层与相邻的量子点层通过作用力连接。本发明的量子点发光层将不同功能的量子点以分层的方式结合在一起，从而可以根据实际需要分别调节量子点发光层两侧量子点的空穴注入能力和电子注入能力，将该量子点发光层应用于QLED器件时，有利于使量子点发光层的载流子注入平衡，进而提高QLED器件的效率以及寿命。

主权项

1.一种量子点发光层，其特征在于，包括至少一量子点复合结构，所述量子点复合结构包括依次设置的第一量子点层、第一高分子桥接层以及第二量子点层，或者所述量子点复合结构包括依次设置第一高分子桥接层、第一量子点层以及第二量子点层，所述第一高分子桥接层与相邻的量子点层通过作用力连接。