[发明专利]Ce:GAGG荧光陶瓷及其制备制备方法、制备系统

摘要

本发明提供一种Ce:GAGG荧光陶瓷及其制备方法和制备系统，用Gd³⁺完全取代Y³⁺,Ga³⁺取代Al³⁺形成的化学式Gd_3‑xAl_5‑yGa_yO₁₂:Ce_x，通过控制Ce³⁺离子、Ga³⁺离子的浓度调节Ga³⁺离子与Ce³⁺离子之间的能量转移来实现Ce:GAGG荧光陶瓷高输出效率。

主权项

1.一种Ce:GAGG荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将Gd₂O₃、Al₂O₃、CeO₂、Ga₂O₃原料按化学式配比称量后混合均匀，放入不锈钢模具中，在一定压力时间下将混合粉料压制成胚体；步骤2：将胚体在一定压力时间下进一步压制成致密的素胚；步骤3：将素胚进行烧结，得到荧光陶瓷片样品；步骤4：将所得样品进行退火处理，得到化学式为Gd_3‑xAl_5‑yGa_yO₁₂:Ce_x的荧光陶瓷，其中Ce³⁺的浓度x为0.001～0.06，Ga³⁺的浓度y为0～4。