[发明专利]用于功率器件的驱动电路

摘要

本发明公开了一种用于功率器件的驱动电路，包括第一NMOS管MNPWR、第二NMOS管MNPRE、第三NMOS管MN1、第一PMOS管MP1、电感L、第一二极管Dpwr、第一电容Cboost、电阻R1，上述第一NMOS管MNPWR的漏极与VIN输入信号连接，上述第一NMOS管MNPWR的源极通过电感L连接VOUT输出信号，并且上述第一NMOS管MNPWR的源极还连接第一二极管Dpwr的负极，上述第一二极管Dpwr的正极接地，上述第一NMOS管MNPWR的栅极连接第三NMOS管MN1的漏极和第二NOMS管MNPRE的源极，并通过电阻R1连接第一PMOS管MP1的漏极。本发明在功率器件MNPWR开通时刻，第二NMOS管MNPRE提供了主要的充电电流给MNPWR栅极充电，可以减小流过驱动级的峰值电流，也可以减小Cboost的峰值放电电流和放电电荷。相应地，MP1面积和Cboost容值也可以减小。

主权项

1.一种用于功率器件的驱动电路，其特征在于：包括第一NMOS管MNPWR、第二NMOS管MNPRE、第三NMOS管MN1、第一PMOS管MP1、电感L、第一二极管Dpwr、第一电容Cboost、电阻R1，所述第一NMOS管MNPWR的漏极与VIN输入信号连接，所述第一NMOS管MNPWR的源极通过电感L连接VOUT输出信号，并且所述第一NMOS管MNPWR的源极还连接第一二极管Dpwr的负极，所述第一二极管Dpwr的正极接地，所述第一NMOS管MNPWR的栅极连接第三NMOS管MN1的漏极和第二NOMS管MNPRE的源极，并通过电阻R1连接第一PMOS管MP1的漏极；所述第二NMOS管MNPRE的漏极连接VIN输入信号，所述第二NMOS管MNPRE的栅极连接第一PMOS管MP1的漏极，所述第一PMOS管MP1的源极连接高通道电源的高电位端HB，所述第三NMOS管MN1的源极连接高通道电源的低电位端HS，所述第一PMOS管MP1的栅极和第三NMOS管MN1的栅极均连接预驱动信号HPRE；所述第一电容Cboost连接在高通道电源的高电位端HB和低电位端HS之间。