[发明专利]双自对准栅极端盖（SAGE）架构在审
| 申请号： | 201910154499.4 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110349949A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | S·苏布拉玛尼安;W·M·哈菲兹;S·戈万达拉朱;M·刘;S·S·廖;C-H·简;N·林德特;C·肯尼恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了双自对准栅极端盖(SAGE)架构以及制造双自对准栅极端盖(SAGE)架构的方法。在示例中，一种集成电路结构包括第一半导体鳍状物，所述第一半导体鳍状物具有沿第一半导体鳍状物的长度的切口。第二半导体鳍状物与第一半导体鳍状物平行。第一栅极端盖隔离结构在第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物之间。第二栅极端盖隔离结构在沿第一半导体鳍状物的长度的切口的位置中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍状物 栅极端 自对准 架构 隔离结构 集成电路结构 平行 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：第一半导体鳍状物，所述第一半导体鳍状物具有沿所述第一半导体鳍状物的长度的切口；与所述第一半导体鳍状物平行的第二半导体鳍状物；处于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间的第一栅极端盖隔离结构；以及在沿所述第一半导体鳍状物的长度的所述切口的位置中的第二栅极端盖隔离结构，所述第二栅极端盖隔离结构与所述第一端盖隔离结构平行并且分开，在所述第一端盖隔离结构和所述第二端盖隔离结构之间没有居间半导体鳍状物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
