[发明专利]用于磁体切换的具有手性反铁磁材料的磁存储器在审
申请号: | 201910155149.X | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN110349990A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | S·马尼帕特鲁尼;T·戈萨维;D·尼科诺夫;I·扬 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/06;H01L43/10;H01F10/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种装置,包括:具有带有磁化(例如,相对于装置的x‑y平面的垂直磁化)的磁体的磁性结;以及与磁性结相邻的互连,其中,所述互连包括手性反铁磁(AFM)材料(例如,Mn3X,其中'X'包括Ge、Sn、Ga、Ir、Rh或Pt中的一种;1类kagomi反铁磁材料、2类超kagomi反铁磁材料,或金属有机物)。 | ||
搜索关键词: | 反铁磁材料 磁化 互连 手性 金属有机物 磁存储器 反铁磁 平面的 垂直 | ||
【主权项】:
1.一种用于储存数据的装置,所述装置包括:磁性结,所述磁性结包括:结构堆叠体,所述结构堆叠体包括:第一结构,所述第一结构包括具有相对于器件的x‑y平面的非固定垂直磁各向异性(PMA)的磁体;第二结构,所述第二结构包括电介质或金属中的一种;以及第三结构,所述第三结构包括具有固定PMA的磁体,其中,所述第三结构具有垂直于所述器件的所述平面的各向异性轴,并且其中,所述第三结构与所述第二结构相邻,使得所述第二结构位于所述第一结构和所述第三结构之间;以及互连,所述互连与所述第三结构相邻,其中,所述互连包括手性反铁磁(AFM)材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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