[发明专利]用于磁体切换的具有手性反铁磁材料的磁存储器在审

专利信息
申请号: 201910155149.X 申请日: 2019-03-01
公开(公告)号: CN110349990A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: S·马尼帕特鲁尼;T·戈萨维;D·尼科诺夫;I·扬 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L43/06;H01L43/10;H01F10/32
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种装置,包括:具有带有磁化(例如,相对于装置的x‑y平面的垂直磁化)的磁体的磁性结;以及与磁性结相邻的互连,其中,所述互连包括手性反铁磁(AFM)材料(例如,Mn3X,其中'X'包括Ge、Sn、Ga、Ir、Rh或Pt中的一种;1类kagomi反铁磁材料、2类超kagomi反铁磁材料,或金属有机物)。
搜索关键词: 反铁磁材料 磁化 互连 手性 金属有机物 磁存储器 反铁磁 平面的 垂直
【主权项】:
1.一种用于储存数据的装置,所述装置包括:磁性结,所述磁性结包括:结构堆叠体,所述结构堆叠体包括:第一结构,所述第一结构包括具有相对于器件的x‑y平面的非固定垂直磁各向异性(PMA)的磁体;第二结构,所述第二结构包括电介质或金属中的一种;以及第三结构,所述第三结构包括具有固定PMA的磁体,其中,所述第三结构具有垂直于所述器件的所述平面的各向异性轴,并且其中,所述第三结构与所述第二结构相邻,使得所述第二结构位于所述第一结构和所述第三结构之间;以及互连,所述互连与所述第三结构相邻,其中,所述互连包括手性反铁磁(AFM)材料。
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