[发明专利]一种硅片CMP后加工设备及加工工艺有效
| 申请号： | 201910155331.5 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109860085B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 余涛;唐杰 | 申请（专利权）人： | 若名芯半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10;B08B13/00 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 潘志渊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅片CMP后加工设备及加工流程，硅片CMP后加工设备包括:位于多个CMP加工装置后端的臭氧水槽和纯水冲洗槽;机械手;CMP后清洗装置，在CMP后清洗装置的前端设有放置硅片收纳盒的水槽；加工方法如下：第一步：CMP加工装置将硅片加工后，将硅片放入到位于其臭氧水槽内的硅片收纳盒；第二步：将第一步中的硅片收纳盒放入纯水冲洗槽内进行冲洗；第三步：机械手将CMP加工装置后端的纯水冲洗槽内的硅片收纳盒送到CMP后清洗装置前端的水槽内；第四步，CMP后清洗装置利用CMP后清洗工艺对水槽中的硅片收纳盒中的硅片进行逐个清洗，本发明具有以下优点：（1）硅片全程处于潮湿状态中，硅片的清洗精度高；（2）硅片的CMP后清洗工艺效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 cmp 加工 设备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种硅片CMP后加工设备，其特征在于,包括:位于多个CMP加工装置后端的臭氧水槽和纯水冲洗槽，臭氧水槽经由超声波进行振动；硅片收纳盒设置在臭氧水槽内；机械手，用于将位于多个CMP加工装置后端的纯水冲洗槽内的硅片收纳盒送到CMP后清洗装置前端的水槽中；CMP后清洗装置，在CMP后清洗装置的前端设有放置硅片收纳盒的水槽，用于冲洗硅片收纳盒；CMP后清洗装置用于对水槽内的硅片收纳盒中的硅片进行逐个清洗，最后硅片放在硅片收纳盒中送出；多个CMP加工装置和CMP后清洗装置以机械手为中心环形分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于若名芯半导体科技（苏州）有限公司，未经若名芯半导体科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910155331.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
