[发明专利]边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910156461.0 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109802296A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 董海亮;许并社;贾志刚;张爱琴;屈凯;李天保;梁建 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/02;H01S5/32 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种提高了激光光斑的功率密度、减少了光束发散角的边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法；技术方案为：边发射激光器光束整形结构为梯形台，梯形台凹陷在边发射激光器芯片内部的N型掺杂的波导层、有源层和P型掺杂的波导层中，梯形台的上底面位于边发射激光器芯片的前输出腔面上，梯形台围成的表面上依次镀有Si钝化膜和增透膜。 | ||
| 搜索关键词： | 边发射激光器 光束整形 梯形台 激光器芯片 制备 波导层 芯片 半导体材料 光束发散角 激光光斑 钝化膜 上底面 输出腔 增透膜 凹陷 源层 | ||
【主权项】：
1.一种边发射激光器光束整形结构，其特征在于：光束整形结构为梯形台（14），梯形台（14）凹陷在边发射激光器芯片内部的N型掺杂的波导层（4）、有源层（5）和P型掺杂的波导层（6）中，梯形台（14）的上底面位于边发射激光器芯片的前输出腔面上，梯形台（14）围成的表面上依次镀有Si钝化膜（11）和增透膜（13）。
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