[发明专利]一种非等径磁过滤系统在审
申请号: | 201910156617.5 | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN109763112A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 唐杰;庞盼;廖斌;罗军;陈琳 | 申请(专利权)人: | 深圳南科超膜材料技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/50 |
代理公司: | 深圳市宾亚知识产权代理有限公司 44459 | 代理人: | 黄磊 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种非等径磁过滤系统,包括非等径磁过滤弯管、高脉冲磁场、压缩磁场和脉冲偏压电极,非等径磁过滤弯管分别设有上法兰盘和下法兰盘,下法兰盘的上方设置有上屏蔽罩,下法兰盘的下方设置有下屏蔽罩,压缩磁场临近位于下法兰盘,高脉冲磁场位于上法兰盘上,脉冲偏压电极位于非等径磁过滤弯管中部;利用金属等离子体作为电离源,同时添加一个等离子体的传输通道,增加电子或离子与气体的作用时间,含碳气体的电离效率有南的提升,大幅提高等离子体密度,同时解决膜层的均匀性问题。 | ||
搜索关键词: | 磁过滤 非等径 下法兰盘 磁场 弯管 等离子体 脉冲偏压 上法兰盘 电极 高脉冲 屏蔽罩 金属等离子体 均匀性问题 传输通道 含碳气体 压缩 电离 电离源 膜层 离子 | ||
【主权项】:
1.一种非等径磁过滤系统,其特征在于:包括非等径磁过滤弯管、高脉冲磁场、压缩磁场和脉冲偏压电极,所述非等径磁过滤弯管分别设有上法兰盘和下法兰盘,所述下法兰盘的上方设置有上屏蔽罩,所述下法兰盘的下方设置有下屏蔽罩,所述压缩磁场临近位于所述下法兰盘,所述高脉冲磁场位于上法兰盘上,所述脉冲偏压电极位于非等径磁过滤弯管中部;所述高脉冲磁场用于控制弧源靶材弧斑运动,使靶材均匀消耗,同时在弯管传输方向提供电场;所述脉冲偏压电极压缩等离子体,提高等离子体的传输效率;所述压缩磁场用于压缩等离子体,通入的气体能够在压缩段进行充分电离,提高等离子体密度和气体的电离度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的